NEGATIVE LONGITUDINAL MAGNETORESISTANCE SILICON ON INTERLINE ELECTRON TRANSITIONS

ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ПРОДОЛЬНОЕ МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ КРЕМНИЯ НА МЕЖЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕХОДАХ

Авторы

  • Taimuratova Lidiya Ungarbaevna Каспийский университет технологии и инжиниринга имени Ш. Есенова
  • Bigoja Ondasin Caspian state University of technology and engineering named after Sh. Esenov
  • Seitmuratov Angisin Korkyt Ata Kyzylorda State University
  • Kazbekova Beisenkul Kozbagarovna Caspian state University of technology and engineering named after Sh
  • Aimaganbetova Zukhra Kuranievna K. Zhubanov Aktobe State University

DOI:

https://doi.org/10.32014/2021.2518-1726.99

Ключевые слова:

магнетосопротивление, кремний, гальваномагнитные эффекты

Аннотация

В статье представлены экспериментальные результаты исследований магнитного сопротивления кремния n-типа, концентрация электронов в интервале температур 77,4-300 К см-3. наблюдалась продольная магнитная интерференция, основанная на перераспределении. Было обнаружено, что экспериментальные результаты имеют хорошее соответствие по количеству и качеству по сравнению с существующими теориями. При H = 350 кЭ энергетический зазор между нижними зонами Ландау составляет 7 мэВ.

Загрузки

Опубликован

2021-12-15

Как цитировать

Таймуратова, Л., Bigoja Ondasin, Seitmuratov Angisin, Kazbekova Beisenkul Kozbagarovna, & Aimaganbetova Zukhra Kuranievna. (2021). NEGATIVE LONGITUDINAL MAGNETORESISTANCE SILICON ON INTERLINE ELECTRON TRANSITIONS: ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ПРОДОЛЬНОЕ МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ КРЕМНИЯ НА МЕЖЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕХОДАХ. Известия НАН РК. Серия физико-математическая, (6), 37–41. https://doi.org/10.32014/2021.2518-1726.99

Выпуск

№ 6 (2021): "Известия НАН РК. Серия физико-математическая"

Раздел

ФИЗИКИ