КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ УГЛЕРОДНОГО ЛИСТА С КРИСТАЛЛАМИ ЙОДИДОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ
DOI:
https://doi.org/10.32014/2025.2518-1483.363Ключевые слова:
углеродный лист, графен, модификация графена, нанокристаллы NaI, KI, LiI и RbI, плотность состояния, полная энергияАннотация
В статье рассматривается моделирование электронных свойств графенового листа, модифицированного щелочногалоидными кристаллами, такими как NaI, KI, RbI и LiI. С помощью метода функционала плотности (DFT) в программной среде Atomistix ToolKit была проведена серия расчетов, направленных на изучение изменений в спектре плотности состояний, уровне Ферми и зонной структуре. Моделирование показало, что внедрение ионов щелочных металлов и галогенов приводит к локальному нарушению симметрии графеновой решетки и формированию новых энергетических уровней вблизи зоны проводимости и валентной зоны. Это указывает на возможность управления электронными свойствами графена за счет химической модификации, включая открытие запрещенной зоны, что делает такие структуры перспективными для использования в наноэлектронике и сенсорике. Представленные результаты соответствуют современным направлениям в области разработки новых функциональных материалов и подтверждают высокую чувствительность графена к внешним воздействиям, включая легирование и поверхностную адсорбцию.
