CHEMICAL DEPOSITION OF BISMUTH IODIDE SULFIDE SEMICONDUCTOR THIN FILMS

Авторы

  • Darya Puzikova D.V. Sokolskiy Institute of Fuel, Catalysis and Electrochemistry» JSC
  • Margarita Borisovna Dergacheva АО «Институт топлива, катализа и электрохимии им. Д.В. Сокольского»
  • Gulinur Marsovna Khusurova АО «Институт топлива, катализа и электрохимии им. Д.В. Сокольского
  • Xeniya Aleksandrovna Leontyeva Казахский национальный университет им. аль-Фараби
  • Polina Vyacheslavovna Panchenko АО «Институт топлива, катализа и электрохимии им. Д.В. Сокольского»

DOI:

https://doi.org/10.32014/2021.2518-1483.88

Ключевые слова:

фотоэлектрохимические ячейки, тонкие пленки, тиоиодид висмута, сульфид иодид висмута, преобразование солнечной энергии

Аннотация

Полупроводниковые соединения играют важнейшую роль в приборах, преобразующих солнечную энергию в электричество. В данной статье рассмотрен метод химического осаждения полупроводниковых тонких пленок сульфид иодид висмута для применения в качестве фотоанода в фотоэлектрохимических ячейках. Исследовано влияние продолжительности процесса химического осаждения и добавки поливинилпирролидона на морфологию, элементный состав, толщину полученных плёнок. Результаты фотоэлектрохимических исследований показали, что полученный полупроводник характеризуется проводимостью n-типа. Фотоотклик подтверждает возможность дальнейшего использования n-BiSI в качестве альтернативного тонкопленочного материала в фотоэлектрохимических солнечных элементах.

Загрузки

Опубликован

2021-10-15

Как цитировать

Puzikova, D., Margarita Borisovna Dergacheva, Gulinur Marsovna Khusurova, Xeniya Aleksandrovna Leontyeva, & Polina Vyacheslavovna Panchenko. (2021). CHEMICAL DEPOSITION OF BISMUTH IODIDE SULFIDE SEMICONDUCTOR THIN FILMS. «Доклады НАН РК», (5), 100–108. https://doi.org/10.32014/2021.2518-1483.88

Выпуск

№ 5 (2021): Доклады НАН РК

Раздел

ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ