[1]
Л. Таймуратова, Bigoja Ondasin, Seitmuratov Angisin, Kazbekova Beisenkul Kozbagarovna, и Aimaganbetova Zukhra Kuranievna, «NEGATIVE LONGITUDINAL MAGNETORESISTANCE SILICON ON INTERLINE ELECTRON TRANSITIONS: ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ПРОДОЛЬНОЕ МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ КРЕМНИЯ НА МЕЖЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕХОДАХ», СФМН, вып. 6, сс. 37–41, дек. 2021.