ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА УБЕГАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ НА ОСНОВЕ ЭФФЕКТИВНОГО ДИНАМИЧЕСКОГО ПОТЕНЦИАЛА - К.Н. Джумагулова; М.М. Сейсембаева; Е.О. Шаленов (Academic Scientific Journal of Computer Science, 2021)
Высокоэнергичные электроны появляются в плазме, например, в термоядерных устройствах, солнечных вспышках, лазерной плазме, энергетических разрядах, связанных с грозами. Одним из важных механизмов появления таких надтепловых электронов является убегание электронов. Убегающие электроны играют положительную роль в случае кильватерного ускорения, инерциального термоядерного синтеза (ICF) быстрого зажигания и т.д., однако могут представлять собой большую проблему, а именно неконтралируемостью, что ведет, например, к повреждению стенок термоядерной установки. Поэтому понимание механизма и знание динамики убегающих электронов необходимо для разработки методов управления этими частицами. В этой работе было исследовано явление убегания электронов в плотной квазиклассической плазме на основе эффективного потенциала взаимодействия, который учитывает динамическое экранирование и квантово-механический эффект дифракции. Используя метод фазовых функций, были вычислены транспортные сечения рассеяния электронов на ионах и других электронах, на их основе определена длина свободного пробега электронов при различных значениях параметров плотности и связи. Также было исследовано внешнее электрическое поле (поле Дрейсера), при воздействии которого электроны могут переходить в режим непрерывного убегания в максимуме значения силы трения. Показано, что с увеличением плотности и уменьшением температуры плазмы поле Дрейсера увеличивается.